光敏電阻的結(jié)構(gòu)和兩種類型
從結(jié)構(gòu)上說(shuō),光敏電阻它具有一個(gè)水平體,該水平體暴露在光下,對(duì)光敏感。如同其他的電阻,比如熱敏電阻對(duì)熱量敏感,壓敏電阻對(duì)電壓敏感。
光敏電阻的基本結(jié)構(gòu)如下所示:
有源半導(dǎo)體區(qū)域通常沉積在半絕緣襯底上,并且有源區(qū)域通常是輕摻雜的。
在許多分立的光致抗蝕劑器件中,使用叉指圖案來(lái)增加光致抗蝕劑暴露于光的面積。在有源區(qū)表面上的金屬化層中切割出圖案,從而使光通過(guò)。兩個(gè)金屬化區(qū)域充當(dāng)電阻器的兩個(gè)觸點(diǎn)。該面積必須做得較大,因?yàn)榕c活動(dòng)區(qū)域的接觸的電阻需要*小化。
光阻結(jié)構(gòu)顯示叉指圖案以*大化暴露面積。
這種類型的結(jié)構(gòu)廣泛用于看到的許多小型光敏電阻或光敏電阻。叉指模式是很容易辨認(rèn)的。
用于光致抗蝕劑的材料是半導(dǎo)體,并且包括諸如CdSe,CdS,CdTe,InSb,InP,PbS,PbSe,Ge,Is,GaAs的材料。每種材料在靈敏度等方面均具有不同的屬性。
考慮到使用鎘的環(huán)境問(wèn)題,該材料在歐洲不用于產(chǎn)品。
光敏電阻的類型
光敏電阻器,LDR或光敏電阻屬于以下兩種類型或類別之一:
本征光敏電阻: 本征光敏電阻使用未摻雜的半導(dǎo)體材料,包括硅或鍺。光子落在LDR上激發(fā)電子將其從價(jià)帶移動(dòng)到導(dǎo)帶。結(jié)果,這些電子自由導(dǎo)電。落在設(shè)備上的光越多,釋放的電子就越??多,電導(dǎo)率也越高,這導(dǎo)致電阻值越低。
非本征光敏電阻: 非本征光敏電阻是由半導(dǎo)體中摻雜雜質(zhì)的材料制成的。這些雜質(zhì)或摻雜劑在現(xiàn)有價(jià)帶之上產(chǎn)生了一個(gè)新的能帶。結(jié)果,由于較小的能隙,電子需要較少的能量來(lái)轉(zhuǎn)移到導(dǎo)帶。
不管光敏電阻器或光敏電阻器的類型如何,這兩種類型都隨入射光水平的提高而顯示出電導(dǎo)率的增加或電阻的下降。
光敏電阻頻率依賴性
示出了光敏電阻的靈敏度隨影響器件的敏感區(qū)域的光的波長(zhǎng)而變化。該效果非常明顯,并且發(fā)現(xiàn)如果波長(zhǎng)在給定范圍之外,則沒(méi)有明顯的效果。
由不同材料制成的設(shè)備對(duì)不同波長(zhǎng)的光有不同的響應(yīng),這意味著不同的電子組件可用于不同的應(yīng)用。
還發(fā)現(xiàn),非本征光致抗蝕劑傾向于對(duì)更長(zhǎng)波長(zhǎng)的光更敏感,并且可以用于紅外。但是,在使用紅外光時(shí),必須注意避免產(chǎn)生熱量,但是會(huì)產(chǎn)生輻射的消光效果。